128GB DRAM内存，采用3D立体硅穿孔封装技术，容量和速度提升2倍，能耗减少50%。已经正式进入量产，三星半导体在中国的两家工厂生产线先后竣工。
三星电子近日宣布，将在全球首家推出128GB DRAM内存。该产品采用3D立体硅穿孔封装技术，容量和速度提升2倍，能耗减少50%。已经正式进入量产。
据悉，在这个小小的内存芯片中，三星内置了 144 个芯片，形成了 36×4GB DRAM 封装，每个封装中有 4×8Gb 芯片，而且该内存芯片采用了三星最先进的 20毫微米工艺制造。
因此，128GB TSV DRAM模块不仅容量大，而且还满足超高速、超省电、高安全性等绿色IT的要求，是面向企业级服务器和数据中心的解决方案。
相比于传统的引线连接多芯片封装方式，TSV(硅穿孔)技术能够大大减少半导体设计中的引线使用量，降低工艺复杂度，从而提升速度、降低功耗、缩小体积。
尤其与采用引线连接封装方式的64GBD RAM 模块相比，128GB TSV DRAM模块的速度高达2,400Mbps，而功耗则减少了50%。
而且，三星电子计划在年内量产采用TSV技术的 “128GB DDR4 LRDIMM”， 并提高20纳米8GB DRAM的生产比例，以此进一步加强竞争力。
三星电子内存事业部战略营销组CHO JOO SUN 副社长表示：“ 得益于128GB DRAM模块的量产，我们才能及时上线帮助全球IT客户提高投资效率的下一代服务器系统。今后，我们会扩大客户和技术合作范围，加快全球IT市场的发展，让消费者享受更加便利的服务。”
在过去20年，三星始终保持存储器行业世界领先的位置。三星半导体不仅在中国引入最先进的技术，同时建设完整的产业链，不断地自我创新和自我超越。
4月15日，三星电子(苏州)半导体有限公司新型生产线“I LINE”竣工。而在一天之前的4月14日，三星(中国)半导体有限公司在西安也隆重举行了封装测试生产线竣工投运仪式。
据了解，三星在韩国的华城建有存储芯片的生产基地，在韩国的温阳和中国的苏州运行有存储芯片的封装测试中心。而位于西安高新区综合保税区的三星(中国)半导体有限公司4月14日竣工的封装测试生产线，是将前工程生产出的V-NAND闪存，在这里经过封装测试等工序制成固态硬盘(SSD)。这标志着三星(中国)半导体有限公司将成为集存储芯片生产、封装、测试于一体的半导体综合生产园区。
两天之内，三星半导体在中国的两家工厂生产线先后竣工，这不仅意味着三星半导体全业态生产链在中国正式形成，也意味着三星在中国的发展战略正不断朝着高端制造以及高科技转移
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