《STT-RAM作为高效节能主内存替代方案的可能性评估》,技术的实现障碍主要源自以纳米光刻这样极为微小的立足点构建永久磁体的能力
《STT-RAM作为高效节能主内存替代方案的可能性评估》，作者：Kültürsay等。
论文指出，自旋转矩效应方案的优势在于其能耗水平低于DRAM，但性能表现则与后者基本相当。而这项技术的实现障碍主要源自以纳米光刻这样极为微小的立足点构建永久磁体的能力，外加如何将众多如此微小的磁体以彼此接近的方式加以排布（类似于磁盘驱动器当中的bit单位）——这有可能导致其中一部分发生意外翻转。除此之外，也并不清楚使用这种方法能够提供每单元单一二进制bit以上的容纳能力。而且现有研究表明，其需要同时使用一个控制晶体管方能正常起效。
自旋转矩效应技术的公开发展历史最早可追溯到2011年由高通公司推出的1 Mb IC以及2012年来自Everspin公司的64 Mb模块，不过二者始终未能投入实际生产。
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