该公司选择增加其21nm生产线的份额，专注于DDR3和DDR4 4Gb产品。
本文作者 TrendForce 公司分析师 Ellie Wang。
去年10月，美国商务部对中国进口18nm及以下工艺设备实施了半导体限制。
根据TrendForce的最新研究，SK海力士的无锡晶圆厂获得了为期一年的生产许可证，但地缘政治风险和需求疲软促使该公司在2Q23将硅片开工率每月减少约30%。
SK海力士曾计划将其无锡晶圆厂的主流工艺从1Ynm过渡到1Znm，从而减少传统工艺的产量。然而，由于美国禁令的限制，该公司选择增加其21nm生产线的份额，专注于DDR3和DDR4 4Gb产品。SK海力士的长期战略包括将其产能扩张转移回韩国，而无锡晶圆厂则迎合中国的国内需求和传统工艺的消费DRAM市场。
DDR3和DDR4 4Gb芯片占SK海力士整体消费DRAM出货量的不到30%。然而，该公司正在扩展其传统生产线，这意味着低密度消费级DRAM的供应将逐渐增加。
对台湾供应链的分析显示，南亚、华邦和PSMC（协助IC设计公司生产DRAM）都提供DDR3 4Gb;只有南亚提供DDR4 4Gb的大规模出货量。3家主要供应商和南亚的DDR3 4Gb工艺节点约为20nm。三星目前为 DDR4 4Gb 提供 20nm 和 1Xnm 工艺节点，并计划在 2023 年下半年过渡到 1Znm，在工艺结构上处于领先地位。然而，美光并没有提供这种特殊的芯片密度，而SK海力士和南亚都在20nm左右。一般来说，其他台湾厂商主要关注DDR3产品，产品节点保持在25nm。尽管华邦和PSMC正在开发20nm工艺，但在大规模生产方面仍然落后于竞争对手。
消费类DRAM需求仍不稳定，预计整个23年第二季度价格将继续下降
尽管由于早期电视库存消化导致需求略有上升，导致SoC订单小幅增加，但市场继续面临挑战。汽车需求一直相对稳定，但市场规模仍然有限，网络通信需求的可视性仍然较低。
尽管DRAM供应商已经削减了消费级DRAM的生产，但在考虑库存水平时，目前的供需状况仍然倾向于供过于求。因此，2Q23 的平均价格应该会下跌 10-15%。从长远来看，无锡晶圆厂产量的增加可能会给供应商带来额外的压力，使消费DRAM价格更难反弹。
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