三星电子今日宣布，已开始量产业内首款20纳米8Gb LPDDR4移动DRAM。这款封装则荣获了2015年国际消费电子展(CES, Consumer Electronics Show)嵌入式技术类创新奖。
全球存储行业领导者三星电子今日宣布，已开始量产业内首款20纳米8Gb LPDDR4移动DRAM。
LPDDR可以说是全球范围内最广 泛使用于移动设备的“工作记忆”内存。全新的20纳米8Gb LPDDR4内存，在性能和集成度上都比20纳米级4Gb LPDDR3内存提高一倍。此外，单颗容量高达8Gb的芯片使4GB LPDDR4封装成为可能，而这款封装则荣获了2015年国际消费电子展(CES, Consumer Electronics Show)嵌入式技术类创新奖。在此之前，三星电子的2GB LPDDR3和3GB LPDDR3产品已分别在2013年和2014年的CES上获此殊荣，而本次获奖更使三星电子成为唯一一个凭借移动DRAM解决方案连续三年获得CES创 新奖的企业。
由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，是个人电脑中通常使用的DDR3 DRAM的两倍，新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。
与 LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的最低功耗存储解决方案。以2GB 内存封装为例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升，最大可节省40%的耗电量。同时，新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压 摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量，并使芯片能在低电压下进行高频率运转，实现了电源使用效率的最优化。
三星已于本月起开始面向全球应用处理器供应商和移动设备制造商，提供分别基于8Gb和6Gb LPDDR4芯片的2GB和3GB LPDDR4 DRAM封装，并将在2015年初开始供给4GB LPDDR4封装。
三星计划快速扩大包括此次新推出的8Gb LPDDR4移动DRAM内存和较早前推出的服务器用8Gb DDR4 DRAM内存在内的20纳米DRAM系列产品的产量，以更好得满足客户的需求，并加快推动高集成度DRAM市场的发展。
三 星电子存储芯片销售及市场营销负责人崔周善执行副总裁表示：“此次投入量产的20纳米8Gb LPDDR4内存芯片，比个人电脑和服务器中使用的DRAM更快更节能。通过推出这款产品，我们为超高清大屏幕旗舰移动设备的适时上市做出了贡献。这款芯 片称得上是移动存储器发展史上的一次重大进展，而它的成功推出也证明我们今后将继续和全球移动设备制造商密切合作，共同优化适合下一代移动操作系统环境的 DRAM解决方案。
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