芯动态|三星电子宣布开始量产16GB LPDDR5 DRAM芯片
2020年2月25日消息，三星电子宣布，已开始在韩国京畿道平泽市的工厂批量生产业界首款用于下一代高级智能手机的16GB LPDDR5移动DRAM芯片。
三星宣布开始量产16GB LPDDR5 DRAM芯片
2月25日，三星电子宣布，已开始在韩国京畿道平泽市的工厂批量生产业界首款用于下一代高级智能手机的16GB LPDDR5移动DRAM芯片。三星表示，在2019年7月量产业界首个12GB LPDDR5之后，新的16GB改进将引领高
DRAM及NAND Flash厂营收排名；粤芯加快启动二期建设
最近，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了2019年第四季全球DRAM厂自有品牌内存及NAND Flash品牌厂最新营收排名。
TrendForce：2019年第四季量增抵销价跌影响，DRAM产值较前季近持平
TrendForce：2019年第四季量增抵销价跌影响，DRAM产值较前季近持平
2019年Q4 DRAM存储器行业价格跌销量涨，同期持平
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，经过2019年近三个季度的调整，各终端产品的DRAM库存在第四季普遍回归正常水平，加上2020年DRAM供给增幅有限，采购端开始提前拉货。因此，即便在2019年
DRAM跌价与新制程开发，华邦电2019年第4季盈转亏
存储器大厂华邦电7日召开法说，并公布2019年第4季及2019年全年财报。华邦电指出，受到DRAM价格下滑的影响，另外还有本身25纳米新制程开发成本高等因素的加乘下，2019年第4季单季营运由盈转亏，税后亏损1.4
三星HBM Flashbolt DRAM存储器产品将在2020年年中正式投产
韩国存储器大厂三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高宽带）DRAM。这是第3代HBM技术，未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年内，于Nvidi
存储器市场价格看涨，NAND行情好于DRAM
尽管目前市场担心武汉冠状病毒疫情将影响今年首季行情，但业内人士认为存储器价格涨势仍然可期。咨询机构集邦科技指出，尽管目前疫情正严重，位于中国境内的DRAM与NAND Flash存储器厂，没有任何产线停工
南亚科技：预期2020年第一季DRAM价格可望止跌回稳
南亚科预期今年供需状况转好；整体市况将随着服务器需求稳定成长，手机DRAM搭载量增加，PC出货量稳定，消费性电子产品需求稳定成长。
新游戏机将引发2020年对图形DRAM和固态硬盘的需求激增
PS5将配备高达16GB的GDDR内存，而Xbox X系列可能有12GB和16GB两种版本。
三方合作共建航天DRAM测试装备研发中心及测试服务中心，为深圳再添芯动力
深圳航天科创公司与DRAM测试服务企业深圳皇虎、智能制造高新技术企业光彩凯宜在深圳航天大厦举行了共建航天DRAM测试装备研发中心及测试服务中心项目签约仪式。
南亚科李培瑛：已成功自主研发10纳米级DRAM新型存储器技术
针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向，李培瑛则是表示，南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，未来进入10纳米制程技术也将采自主开发技术为
紫光日本公司CEO坂本幸雄：DRAM内存将在5年内量产
将在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂，预计今年底动工，2021年正式量产内存。
兆易创新：定增43亿DRAM芯片研发，与合肥12英寸晶圆存储器研发项目无关
兆易创新(603986)23日晚披露股价异动公告称，经自查，公司拟筹划非公开发行股份事项，募集资金总额约43亿元，主要用于公司DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。 目前，公司接到较多投资者有关合
十年内投资8000亿，紫光集团冲刺DRAM自主研发
高启全表示紫光集团决定自主研发DRAM，将在未来十年内投资8000亿元人民币，以加快DRAM量产。
三星电子将开始批量生产世界上最快的移动DRAM
三星电子将于本月底开始批量生产业界首批12 Gb移动DRAM，这些移动DRAM提供了迄今为止最快的速度和最大容量。
完善“从芯到云”产业链，紫光集团组建DRAM事业群
将进一步拓宽紫光集团在存储器领域的相关布局，深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。
SK海力士无锡二厂竣工：冲击中国45% DRAM内存市场
位于江苏无锡的第二工厂(C2F)已经竣工，产出的第一批晶圆良品率也符合预期，计划今年5月正式投入量产。集邦咨询：第一季DRAM合约价大幅下修，创8年以来最大跌幅
由于供过于求的市况，DRAM产业大部分交易已经改为月结价(Monthly Deals)，2月份更罕见出现价格大幅下修。
中国交出闪存新答卷：速度直逼DRAM
长江存储科技公司表示，尽管仍采用3D分层，但速度却可提升三倍。
