格芯完成22FDX技术开发 将批量生产eMRAM 磁阻非易失性存储器芯片
美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
订单还有美光、铠侠可撑 存储器暂不致断链
韩国新冠肺炎疫情扩散，业界担忧存储器供应链是否受到影响。
超300亿 存储器封测等多个集成电路项目签约合肥
2020年2月25日消息，合肥市举行重大产业项目集中（云）签约仪式，据了解，此次包括8个项目通过现场签约、云签约方式进行集中签约，总投资额达1020亿，主要集聚于集成电路、工业互联网、装备制造等高端前沿行业
多个集成电路项目签约合肥，投入300亿，主攻存储器封测等
2月25日，合肥市举行重大产业项目集中（云）签约仪式，据了解，此次包括8个项目通过现场签约、云签约方式进行集中签约，总投资额达1020亿，主要集聚于集成电路、工业互联网、装备制造等高端前沿行业产业。此次
受存储器封测下单量增加 南茂2019年Q4营收改写新高
封测厂南茂受惠存储器市况回温、驱动IC产品封测需求持稳，2020年1月合并营收站上近3年同期高点，法人看好南茂首季淡季营运撑。
受益存储器封测强劲需求，南茂2019年第四季度营收创纪录
封测厂南茂受惠存储器市况回温、驱动IC产品封测需求持稳，2020年1月合并营收站上近3年同期高点，法人看好南茂首季淡季营运撑。南茂2020年1月自结合并营收17.32亿元（新台币，下同），虽受春节连假工作天数较
2019年Q4 DRAM存储器行业价格跌销量涨，同期持平
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，经过2019年近三个季度的调整，各终端产品的DRAM库存在第四季普遍回归正常水平，加上2020年DRAM供给增幅有限，采购端开始提前拉货。因此，即便在2019年
创见1月营收月增年减，存储器价格回升有利
存储器模组厂创见资讯2020年1月营收10.69亿元（新台币，下同），月增10.64%，但比去年同期高档下滑21.99%；展望今年，随着存储器市况复苏，DRAM与NAND Flash价格回升，对公司营运有助益。回顾去年下半年，随着存储器
存储器厂商威刚一月份营收减10%，预期疫情不影响全年需求
威刚董事长陈立白表示，短期虽因疫情未明显造成恐慌效应，但 2020 年存储器供不应求的整体态势不变，仍乐观看好存储器价格将逐季走扬。
三星HBM Flashbolt DRAM存储器产品将在2020年年中正式投产
韩国存储器大厂三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高宽带）DRAM。这是第3代HBM技术，未来将用于超级计算机、GPU和各种AI应用所需的高性能计算。三星先前发表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年内，于Nvidi
存储器市场价格看涨，NAND行情好于DRAM
尽管目前市场担心武汉冠状病毒疫情将影响今年首季行情，但业内人士认为存储器价格涨势仍然可期。咨询机构集邦科技指出，尽管目前疫情正严重，位于中国境内的DRAM与NAND Flash存储器厂，没有任何产线停工
中国境内存储器厂区处于正常运作，未受肺炎疫情太大冲击
针对武汉疫情对全球存储器产业的影响，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，位于中国境内的DRAM与NAND Flash工厂，目前没有任何产线有部分或全面的停线，意即生产数量在短期之内不会受到影响
赵伟国：存储器市场需求将呈现指数级增长，将跳过96层，直接投入128层闪存研发
长江存储已规划2020年将提供嵌入式存储、固态硬盘等完整解决方案产品，面向更多通讯、系统整机客户。接下来，长江存储将跳过96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。
存储器发展态势迅猛，多家A股上市公司布局存储器封测
2019第四季度存储器逐渐从供需平衡到产能紧张。近期，NAND Flash率先涨价，NOR Flash产能吃紧，开始传出涨价消息，DRAM也出现止跌信号。
存储器封测厂力成2020第1季业绩创同期新高 看好今年半导体市场
存储器封测厂力成总经理洪嘉鍮预估，第1季业绩可望较去年同期成长，有机会创同期新高，上半年模组表现正向看待，今年半导体市况可稳健成长。观察去年第4季营运表现，力成昨天下午在法人说明会上表示，去年第
南亚科李培瑛：已成功自主研发10纳米级DRAM新型存储器技术
针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向，李培瑛则是表示，南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，未来进入10纳米制程技术也将采自主开发技术为
紫光国微：目前没有计划涉足存储器芯片制造业务 也没有整合长江存储计划
紫光国微在平台非常明确地回复了投资者：长江存储设立时，为避免潜在的同业竞争，紫光集团承诺，在本公司未来规划发展存储器芯片制造业务时，有权对长江存储进行产业整合。鉴于紫光集团在存储器领域的战略
兆易创新：定增43亿DRAM芯片研发，与合肥12英寸晶圆存储器研发项目无关
兆易创新(603986)23日晚披露股价异动公告称，经自查，公司拟筹划非公开发行股份事项，募集资金总额约43亿元，主要用于公司DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。 目前，公司接到较多投资者有关合
格芯打造全新存储器：22nm eMRAM已经做好取代eFlash的准备
格芯eMRAM技术的独特之处在于它是一种可靠的MRAM解决方案，能够作为高容量嵌入式闪存(eFlash)的替代品。美光推出用于移动应用的最高容量单片存储器
美光科技公司揭示高容量的叠层的16Gb低功耗双数据率4X（LPDDR4X）DRAM，提供多达16GB的1在单个智能电话低功率DRAM的（LPDRAM）。 Micron LPDDR4X还采用基于UFS的多芯片封装（uMCP4），有利于移动设备制造商消耗
