受益于DRAM的价格上涨，二季度南亚科技营收会继续提升
DRAM的价格在二季度继续上涨，也就意味着在即将结束的二季度，南亚科技的营收会继续提升。2020年全球半导体收入达到4498亿美元，2021年DRAM价格看涨
2020年初，三星电子有限公司计划增加DRAM的生产能力，但此后被推迟。SK Hynix.和Micron的生产数据也保持不变。
美光推出限量版Crucial（英睿达）Ballistix（铂胜）MAX 5100游戏DRAM，为市场带来最高速度
这款最新产品的速度极具竞争力，扩充了屡获殊荣的 Crucial（英睿达）Ballistix（铂胜）产品组合，为消费者提供了理想的游戏内存选择。
NAND Flash，DRAM将在2020年占据IC市场大部份额
到2020年，DRAM将占整个3683亿美元IC市场的17.5％。该市场在2018年达到994亿美元的历史最高销售额。
JEDEC正式发布了DDR5 SDRAM标准规范，以推进下一代高性能计算
DDR5的带宽是其前身DDR4的两倍，预计将以4.8 Gbps的速度推出（比DDR4的3.2 Gbps使用寿命快50％）。
存储器发展趋势解读 业界：DRAM优于NAND
针对DRAM和储存型快闪存储器（NAND Flash）这两大存储器后市，业界普遍有 DRAM优于NAND Flash 的共识。业者分析，目前看来，DRAM需求拉抬步调较快，价格后市相对看好；NAND Flash则因市场供给较多，预估第3季需.
库存回补停滞 DRAM价逐季跌
随着存货水位明显回升，6月标准型及服务器等DRAM合约价与5月持平，但利基型DRAM合约价已反转下跌1～5%。由于第三季市场需求减弱，业界预期下半年DRAM合约价逐季走跌。DRAM厂南亚科公告6月合并营收月减4.
SK海力士量产超高速DRAM“HBM2E”
2020年7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM HBM2E 。据悉，这是SK海力士继去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的又一成果。SK海力士新闻稿指出，HBM2E是目前业界速度最快的DRAM解决方案，能以每个
兆易创新定增43亿元，用于DRAM芯片研发及产业化项目
兆易创新此次募集资金净额42.82亿元，将用于DRAM芯片研发及产业化项目，以及补充流动资金。
预计2021年量产 传SK海力士将在1anm DRAM中引入EUV技术
在当前因为市场不确定因素增加，以及新冠肺炎疫情恐将影响存储器后续市场发展的情况下，主要存储器厂商皆不轻易扩增产能，反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。因此，根据韩国媒体报导，存储器大
2020年1季度DRAM全球市场下降4.6％至148亿美元
20季度末的库存水平更低。因此，供应商不再面临迫切削减价格的压力，整体DRAM均价季度增速约为0-5％。
DRAM生产线改CMOS图像感测器生产线，三星向SONY发起挑战
这一次，三星预计将减少华城工业区DRAM的LINE 13产线，转换为生产图像感测器的产线。
2020年DRAM和NAND闪存销售额下降32％，出货量1104亿美元
由于DRAM和NAND闪存销售将整体存储器市场降低了32％，至1,104亿美元，存储器市场在2019年发生了逆转。
美光HBM2 DRAM即将开始出货
在最新财报中，美光科技（Micron Technologies）宣布旗下第二代高带宽存储器（HBM2）即将开始出货。
三星首次将EUV技术应用于DRAM生产
韩国三星电子于25日宣布，已经成功出货100万个极紫外光刻技术（EUV）生产的业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组，将为高端PC、移动设备、企业服务器和资料中心应用等提供更先进EUV制程技术产品，开启新里程碑。
价格看涨，DRAM能走出低谷？
2020年1 2月份，DRAM价格止跌回暖，各研究及证券机构普遍看涨DRAM第一季度、第二季度价格。
DRAM、SRAM和Flash闪存的电路结构对比图及各自工作原理
在众多的存储器分类中，DRAM，SRAM和Flash是当今主要的固态存储技术。敲黑板！DRAM涨价，这些问题要注意
2020年1-2月份，DRAM价格止跌回暖，各研究及证券机构普遍看涨DRAM第一季度、第二季度价格。
获美商供应 SK海力士将量产HBM2E DRAM
据韩媒《Business Korea》报导，韩国科技大厂SK海力士已克服了下一代存储器量产的障碍之一，全球电子设计自动化龙头美商新思科技在近日宣布，将向SK海力士供应系统单芯片(SoC)技术方案，以协助该公司量
宇瞻：第二季NAND Flash涨幅将大于DRAM
存储器模组厂宇瞻总经理张家騉昨（4）日指出，新冠肺炎疫情虽造成存储器整体市场需求端有所修正，但供应原厂均无意降价。
