NAND闪存芯片的开发又迈出了最新的一步。在开始出货25nm ClearNAND闪存芯片的4个月之后，英特尔与美光的合资企业IMFT(IM Flash Technologies)近日推出了用于制造更小体积固态硬盘的20nm制程技
虽然25nm NAND工艺进展不顺，但技术前进的脚步永远不会停歇，Intel、美光今天又联合宣布了最先进的20nm工艺。
20nm工艺依然由Intel、美光联合投资的IM Flash Technologies(IMFT)负责制造，可以生产出容量达64Gb(或者说8GB)的MLC NAND闪存颗粒，而且核心面积仅仅118平方毫米，相比25nm 8GB NAND闪存减小30-40％。
Intel宣称，闪存工艺从25nm进步到20nm之后，所能提供的容量可比现有34nm工艺增加大约50％，同时20nm工艺闪存颗粒的性能和耐用性仍会维持在与25nm类似的水平上。
IMFT 20nm 8GB NAND闪存颗粒已经试产，预计2011年下半年投入量产。届时，Intel、美光将会一方面拿出容量翻番的16GB颗粒，另一方面公布面积跟一张邮票差不多大小的128GB固态硬盘。
IMFT 20nm 64Gb NAND闪存颗粒
两个34nm 32Gb与单个25/20nm 64Gb NAND闪存颗粒对比
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