这一迹象表明，英特尔与美光的3D XPoint产品时间表很可能需要回炉重造--因为双方的技术成果，无论是否属于相变记忆体，还远远称不上成熟。
随着英特尔美乐闪存技术（简称IM Flash）公司联合CEO Guy Blalock宣称XPoint内存采用硫化晶体作为其存储介质，人们开始对XPoint的实际定义大感好奇--虽然英特尔与美光双方坚决否认，但其到底是否属于相变记忆体（简称PCM）？
立足于相变记忆体定义，其硫化物材质的状态--或者叫"相"--会由非晶体（非内部结构）转化为晶体，并在施以特定电压后进行逆向转化。这两种相各自拥有可测量的稳定电阻值，可用于表示二进制中的0与1。
Ron Neale认为不存在其它解释
我们一直在尝试理解为什么英特尔与美光双方会坚持认为其XPoint内存能够利用相变记忆体的硫化晶体材质通过电压激发实现批量转换以呈现稳定的电阻值切换与非易失性特性，但却又不属于相变记忆体范畴--但这项努力如今已经彻底宣告失败。
带着这个问题，我们征求了独立电子/电气制造专家兼《电子工程杂志》博主Ron Neale的意见。
Ron就此告诉我们："当初英特尔发布第一份3D XPoint公告时，我和你们一样试图找到答案……英特尔方面则拒绝对相关内容做出任何评论或者回复，就连一直以来屡试不爽的漫画讽刺手段都没能让其开口。所以我制作的这幅漫画最终只成为〈电子工程杂志〉中的一份谈资。"
Ron Neale将XPoint讽刺为据称神效无比的"大力丸"。
Neal本人对于其中晶体批量转换以及所需加热电极也抱有不少疑问。他准备了一份示意图，希望勾勒出该内存材质中将阈值开关机制作为加热器电极以及矩阵隔离设备的实现方法。而由此引发的问题则如下所示：
Neale针对XPoint内存堆栈提出的疑问
他表示："他们的态度与IBM形成了鲜明的对比，蓝色巨人允许我在正式发布之前就对其大部分相变记忆体开发成果进行自由查阅。正是因为这样的原因，大家可以在〈电子工程杂志〉上找到大量与IBM相变记忆体相关的文章。我可以向各位保证，这些文章的撰写时间要早于相关技术的公布日期。"
英特尔与美光相变记忆体发展史
Neale指出，英特尔与美光双方在相变记忆体技术的研发方面已经投入了大量时间。"可以作为证明的一项证据就是英特尔与美光为此投入了大量资金，而在对相变记忆体产品做出了诸多尝试之后，双方收购了Ovonyx并因此带来新的支出。要收回成本势必需要经过大规模摊销，这也意味着即使项目仍然存在，其成本回收过程也将非常缓慢。"
他认为所谓批量转换正是问题的关键："一般来讲，'S'代表负阻或者说阈值开关，其主要特征正是利用丝状或者热点形式控制阻值切换。丝状结构会提升电流密度，并对性能与可靠性造成影响性，也许两家公司正是出于这样的考量才利用批量转换来解决上述负面状况。"
根据我们掌握的情况，硫族化合物相变记忆体机制的实现基础正是其丝状结构在电场感应时发生长度增加。
相变记忆体单元结构
Neale认为"如果双方能够在不采用丝状结构或者热点的前提下实现批量阈值转换，那么其绝对是获得了惊人的研发成果。在得到公告内容后，我一度坚信他们将能够打造出极为轻薄的接口设备。"
另外："如果它们（英特尔与美光）在利用阈值开关作为矩阵隔离机制，那么该设备将必须在每次读取操作时进行状态切换，这意味着阈值开关需要具备非常可观的使用寿命。"
美光公司招募相变记忆体单元鉴定人才
Neale还注意到，美光公司的官方网站上正在公开招聘一位相变记忆体鉴定人才。
网站文本内容指出，该职位涉及"具体的记忆体单元与单元电路鉴定工作，旨在理解相变记忆体单元的传输、热力学以及电子响应现象。"
看到了吧，"相变记忆体"，美光就是这么写的。
Neale认为"如果他们单纯只是需要招聘人才以进行设备鉴定，则意味着其技术成果要转化为实际产品还有很长的路要走。"
对于我们来说，最令人奇怪的是这其实是个内部实习生职位。
这一迹象表明，英特尔与美光的3D XPoint产品时间表很可能需要回炉重造--因为双方的技术成果，无论是否属于相变记忆体，还远远称不上成熟。
而其带来的另一项信息则是，双方的技术成果并不像其宣传的那样具有创新性或者独特性，因此目前避而不谈的态度恐怕更像是一种市场营销层面的障眼法。
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