美光公司已经公布了其首款3D NAND SSD，1100型号是一款每秒6 Gbit SATA产品，2.5英寸及M.2 SATA配合可提供256 GB、512 GB、1024 GB与2048 GB（只限2.5英寸版本）等容量选项。
美光公司已经公布了其首款3D NAND SSD，分为三层单元（简称TLC）1100与2200两个型号。
作为闪存代工合作伙伴，英特尔方面此前已经于3月发布了自家3D MLC（即二层单元）SSD产品，分为DC P3320与P3520两个型号，最高容量为2 TB。不过与英特尔方面所采用的NVMe接口不同，美光的1100采用的是速度更慢的每秒6 Gbit SATA接口。
2200型号则为PCIe NVMe设备，其性能水平高于1100。
1100型号是一款每秒6 Gbit SATA产品，2.5英寸及M.2 SATA配合可提供256 GB、512 GB、1024 GB与2048 GB（只限2.5英寸版本）等容量选项。其具体制程工艺并未公布，不过我们认为其采用的应该是32层TLC NAND与384 Gb晶粒。
下面来看1100的具体参数：
• 4K随机读取IOPS为92000
• 4K随机写入IOPS为83000
• 连续读取带宽为每秒530 MB
• 连续写入带宽为每秒500 MB
• 延迟--读取/写入延迟分别为85纳秒/40纳秒
• 使用寿命--120 TB写入总量--256 GB为240 TB写入总量；512 GB为400 TB写入总量（相当于每天写入224 GB，总使用周期为5年）
M.2外形设计的美光1100 3D NAND SSD
目前英特尔旗下只有一款3D SSD可用于同美光新产品进行性能比较，即P3320：
• 4K随机读取IOPS为36万5千
• 4K随机写入IOPS为22000
• 连续读取每秒1600 MB
• 连续写入每秒1400 MB
除了随机写入性能之外，其它参数全部碾压1100。
另外我们不妨将1100与容量在128 GB到1 TB之间的SATA美光M600进行比较，后者于2014年9月发布，采用16纳米制程MLC闪存与128 Gb晶粒：
• 4K随机读取IOPS为10万
• 4K随机写入IOPS为88000
• 连续读取每秒560 MB
• 连续写入每秒510 MB
• 使用寿命--100 TB总写入量--128 GB为2000 TB；256 GB为300 TB；512 GB为400 TB
众所周知，TLC在使用寿命上天然落后于MLC NAND，性能表现也不及后者。不过美光在1100当中带来了令人满意的效果，其性能较M600并不相差太多，当然差距仍然存在。
1100产品具备美光方面所谓DEVSLP技术，这是一款超低功耗产品，其中256 GB与512 GB产品在DEVSLP模式下只需不足2毫瓦功率即可运行。1 TB产品需要4毫瓦，而2 TB产品需要25毫瓦。
与M600一样，1100亦拥有动态写入加速机制。其不可校正误码率（简称UBER）在每1015 bits读取中低于1扇区。该产品还提供加密与安全擦除功能。另外，其拥有150万小时平均故障间隔（简称MTBF）保证。
美光2200 PCIe NVMe闪存驱动器
2200的具体信息目前尚不明确，当下我们仅知道其属于3D NAND SSD产品。这是一款客户设备SSD，M.2外形尺寸下的最高容量为1 TB。根据我们掌握的情况，其传输带宽可达SATA SSD产品的四倍，且延迟水平更低。但这显然是废话--采用NVMe接口的闪存驱动器向来在速度上更为出色。
美光公司于今年4月发布了7100与9100平面MLC NVMe驱动器，因此2200应该能够继承其在NVMe接口方面的使用经验。
事实上，2200的性能应当会大幅超越1100，即可以与P3320相比肩--虽然可能仍然比不上3D MLC设备；其速度应该低于72100与9100产品。着眼于英特尔与美光的3D NAND SSD，可以看出两家企业似乎针对的是不同的细分市场。
目前2200的参数表尚未公布，而且两款产品的具体售价也都存疑。预计1100与2200即将于今年第三季度推出，前者的上市时间应该略早。
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