Intel发布三款PCIe闪存卡 采用NVMe标准

Intel发布了3款高速PCIe闪存卡(使用了NVMe标准)，而这次的产品应该是PCIe闪存产品混战的一个阶段性事件了。

NVMe是一个非易失存储中的一个数据存取标准，他统一了主机主机操作系统中PCIe闪存卡的驱动，不同PCIe闪存卡能够共用一个驱动程序，而之前各个闪存卡产品都是有专用驱动 的。SATA就是一种NVMe的实现形式。

此次Intel发布了三款NVMe产品，DC P3700，P3600和P3500.容量方面最高2TB，随机读性能能够达到46万IOPS。具体性能参数如下：

Intel DC P3n00 PCIe NVMe 闪存卡速度及其他主要参数

三个SSD新品都使用了PCIe 3.0 x4(4GB/s)接口，闪存颗粒均为20nm MLC。另外闪存新品配备了Intel控制器(18通道)，产品享受5年质保。耐擦写性能方面：

DC P3700能够写入36.5 PB 数据，相当于5年中每天擦写10次，

DC P3600能够写入10.95 PB 数据，相当于5年中每天擦写3次，

DC P3500能够写入1PB 数据，相当于5年中每天擦写0.3次.

　　需要指出的是，Intel将在2014年6月12日上午北京举办2014英特尔固态盘媒体沟通会，详细细节包括最新发布的PCIe固态盘的深入解析，中国地区固态盘的部署进展，以及产品的细节技术等。

DC P3700能够写入36.5 PB 数据，相当于5年中每天擦写10次，

DC P3600能够写入10.95 PB 数据，相当于5年中每天擦写3次，

DC P3500能够写入1PB 数据，相当于5年中每天擦写0.3次，

Intel发布PCIe闪存卡新品，那么同类产品中，Fusion-io、美光、三星、希捷/Avago/LSI以及东芝这些厂商的产品性能什么呢?

上面的表格中产品并不都是NVMe标准的闪存卡，因为现实世界中NMVe标准的卡只有Intel和三星两家在做。所以我们加入了美光、LSI和Fusion-io几家的产品。

美光的P420M闪存卡性能最好，随机读达到75万IOPS，三星XS1715随机读为74万IOPS，接下来是三款Intel的NVMe产品，最后是LSI的XP6210和Fusion-io的ioScale。这个表格中的数据说明即使不用NVMe，闪存卡也能够做到很高的性能(根据美光的P420M测试数据)。

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