传三星考虑在平泽厂增设DRAM产线

传三星电子(Samsung Electronics)正在考虑于平泽半导体厂二楼，移入DRAM生产设备。三星为全球DRAM龙头，如果未来进一步大动作扩产，排名紧接在后的SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)等竞争者恐也会加入扩产的行列，对于DRAM后续发展将造成很大的影响。

韩媒朝鲜日报引述业界消息指出，三星新完工的平泽半导体厂一楼，目前已开始生产3D NAND Flash，至于工厂二楼，传三星正考虑移入DRAM生产设备，展开DRAM扩产，如以晶圆投片量为基准，平均月产能可能高达10万~12万片左右。

稍早2017年5月，三星决定在华城17产线，进行高达3兆韩元(约合27亿美元)的DRAM产线增设投资，这项计划目前正在进行中。三星计划利用华城17产线剩余空间，移入DRAM生产设备进行扩产，平均月产能约3万片左右。

韩国业界人士分析，三星考虑扩产DRAM的背景，在于不只2017年，甚至到了2018年，将很大程度的影响DRAM供需平衡。日前SK海力士相关人士于第3季财报发表会中指出，由于兴建资料中心及大陆智能型手机业者崛起，DRAM需求持续升温，但是DRAM先进制程日益困难、良率偏低，造成生产赶不上需求。

过去一段时间以来，三星对扩产DRAM这件事，态度其实相当保守。韩国业界人士进一步指出，如果未来三星真的于平泽厂大举扩产DRAM，那么SK海力士、美光等竞争对手，最后也只能跟著三星脚步投入扩产。

目前DRAM市场为三星、SK海力士及美光少数业者寡占，过去几年相较于3D NAND Flash不停扩产，上述三家业者对DRAM投资扩产，相对显得小心谨慎。三星DRAM全球市占率接近50%，如果未来真的积极投入DRAM扩产，全球市占率势将突破50%，可望进一步巩固DRAM市场龙头地位。然而，紧追三星之后的SK海力士、美光，到时恐怕也不会坐以待毙，一定也会以扩产行动，守护自己的市场地位。

声明： 此文观点不代表本站立场；转载须要保留原文链接；版权疑问请联系我们。