南亚科20nm发威 Q4获利大跃进

DRAM厂南亚科第四季20nm制程发威，不仅20nm DRAM单位制造成本已明显低于30nm制程，加上20nm投片量逐月拉升，将带动毛利率逐季走高到明年第二季，本业获利亦将逐季快速拉高。

加上12月将再度处分手中美光持股，外资法人看好南亚科今、明两年都将赚逾一个股本，后年每股净利亦有赚逾新台币10元的实力。

南亚科20nm DRAM提前在第三季量产，由于良率表现优于预期，第三季已提前达到20nm单位制造成本低于30nm的成本交叉目标，9月产出量已超过1万片。第四季DRAM仍供不应求，合约价平均涨幅达1成，南亚科将在12月将20nm产能直线拉升至3.8万片，不仅毛利率会比第三季的44.2％更好，8Gb DDR4也已顺利投片。

法人表示，南亚科预估第四季位元出货量将较上季增加约15％，再加上平均销售价格较上季调涨5～10％，预估单季合并营收将上看新台币160亿元，季增幅度上看2成。由于20nmDRAM营收占比提升带动毛利率拉高，单季营业利益将上看新台币50～60亿元，加上12月后将再处分手中美光持股，今年全年可望赚进一个股本。

南亚科DDR4近期已陆续送交电脑及服务器客户进行认证，年底前可望完成认证并正式放量出货。业界指出，南亚科采用20nm制程投产的8Gb DDR4，可应用于服务器平台，等于重返服务器DRAM市场，由于服务器DRAM价格较传统标准型DRAM高出2～3成，对于明年第一季营收及获利将有明显挹注。

法人预期，南亚科20nm产出将在第一季持续放量，加上价格持续看涨，不仅将带动营收成长，毛利率也会比第四季更好，完全不受存储器传统淡季及工作天数减少冲击。由此推估，南亚科第一季营业利益可望冲上新台币70亿元，改写单季本业获利新高纪录。

南亚科预计12月10日之后会继续处分手中的美光持股，目前手中持有美光股数达21,966,142股，每股持有成本17.29美元，以美光股价近期涨至48美元左右计算，未实现潜在获利仍高达6.75亿美元。法人预期南亚科第四季将处分部份持股，明年会继续处分，由此推算，南亚科今年及明年都将赚逾一个股本。南亚科不评论法人预估财务数字。

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