三星启动平泽厂第二阶段投资，将主要用于生产DRAM

据etnews报道，三星开始对位于平泽二楼进行第二阶段投资，将主要用于生产DRAM，目前三星平泽厂二楼约一半面积的无尘室建设已进入最后阶段，并已开始接受三星主要合作伙伴的订单。

三星平泽工厂是一栋两层建筑，一楼和二楼每月wafer产能分别为10万片和20万片，二楼的投资规模将大于一楼。三星平泽厂一楼之所以比二楼的生产能力小，是因为它的一些空间被用于办公室和自助餐厅。二楼分为西区和东区，各自保证每个月10万片wafer产能。二楼第一阶段投资是西区，二期投资为东区。三星预计西区将按照每月7万片3D NAND和3万片DRAM的产能比例来配置生产设备，东区则按照每月10万片DRAM产能来配置生产设备。

虽然2017年NAND Flash和DRAM仍有些供货紧缺，价格也处于上涨期，三星对平泽厂扩大投资也是为了满足市场日益增长的需求，但平泽厂的生产规模不可小觑。三星的平泽厂是自2015年破土动工，现已开始在平泽厂采用最先进的64层3D NAND技术生产NAND Flash，也曾在7月份称计划在2021年之前，总共投资30兆韩元（约合276亿美元），用于平泽厂扩大生产制造能力。三星平泽厂将成为韩国最大的单一工厂，若三星全面实现生产，将让存储市场供应过剩成为现实，价格行情也将由涨转跌。

三星工厂相关人员表示：“我们已经拿到了预期的订单，预计未来订单会源源不断地到来。”尽管三星电子还没有订购生产DRAM所需设备，但是很可能很快将采取行动。

不过，三星的某位代表也表示：“投资的速度也很重要。设备行业预测，2018年年底或2019年上半年半导体设备的投资将达到20万台。存储产品的价格的走向将取决于三星的投资速度。如果三星根据市场需求调整投资速度，预计对存储市场不会产生太大的影响。”

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