三星平泽厂5月再添DRAM产线 全力冲刺产能捍卫半导体王座

2017年三星电子(Samsung Electronics)半导体事业屡屡刷新业绩，高达65兆韩元(约612亿美元)的营收更助三星一举超越英特尔(Intel)，荣登全球半导体业界龙头宝座，相关部门员工奖金高达月薪的400%。

据韩媒朝鲜日报报导，位于三星华城厂区旁的高耸建筑物落成于2017年4月，是三星设备解决方案研究所(DRS)，聚集众多研发人才，为三星半导体事业蓄积能量。目前有1.3万名硕博士研发人员与2000名辅助人力，共1.5万人在DRS办公室内工作。

三星重视技术竞争力，但先进制程研发愈来愈困难，内部不断鼓舞士气，希望寻求新突破。近期聚焦开发具有低功耗、高速存取特性的MRAM，以及石墨烯(graphene)与黑磷(black phosphorus)等新材料的相关应用，并且持续招募研发人才。

2017年7月三星在平泽工厂一楼生产先进的64层3D NAND，计划在二楼增设DRAM产线，最快2018年5月就能量产DRAM。业界认为三星电子积极扩大存储器产能，为的是提防2018年下半年大陆业者进入市场。

三星除了积极扩大存储器产量，确保市场上的领先地位之外，也积极发展晶圆代工事业，将其视为半导体领域的新成长动力。但晶圆代工市场上有强劲对手台积电，无法轻易取得突破。

三星相关人士表示，2017年底动工的华城晶圆代工新厂将采用全球最先进的极紫外光(EUV)设备，可将半导体电路间距由10纳米缩小到7纳米，生产出性能优异的芯片，藉此逐步扩大市场影响力。

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