2017-08-22 12:16:46
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长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器。

昨日,武汉新芯集成电路制造有限公司宣布,7月26日,长江存储科技有限责任公司(以下简称长江存储)正式成立。自3月28日国家存储器基地在武汉启动4个月之后,该项目建设获得重大进展。

工商户注册信息显示,长江存储注册资本为189亿元,法定代表人是赵伟国,从事半导体集成电路科技领域内的技术开发,集成电路及相关产品的设计、研发、测试、封装、制造与销售等,与武汉新芯均位于武汉市东湖开发区。

据介绍,长江存储的注册资本分两期出资。一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和武汉新芯股东湖北省科技投资集团有限公司共同出资,在武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称武汉新芯)的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。

武汉新芯将是长江存储的全资子公司。公告中称,长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器。

长江存储的人事任命方面,由赵伟国任长江存储董事长,丁文武和杨道虹任副董事长,王继增任监事长,杨士宁任总经理。其中,赵伟国为紫光集团董事长,丁文武为国家集成电路产业投资基金(业内通称“大基金”)总经理,杨道虹为湖北省长江经济带产业基金公司副总经理,王继增为武汉新芯董事长,杨士宁为武汉新芯总裁兼执行长。

公告中,董事长赵伟国表示,“长江存储将会有更好的企业内部机制、更大的资金平台、更强的执行力、更快的发展速度。并且,公司将沿着既定的战略方向,继续把武汉新芯做强做大,深化和加强已有的战略合作伙伴关系。”

武汉新芯是我国存储器芯片的拓荒者,此前主要生产各种类型的NORFLASH闪存,近年量产了具备技术领先性的背照式图像传感器晶圆,启动三维闪存研发。而紫光集团近年对于发展存储器业务决心坚定,曾试图收购美国存储芯片制造商美光科技未果,董事长赵伟国也曾公开表示紫光未来将投资300亿美元主攻存储器芯片制造。

此消息一出,业内人士普遍认为,武汉新芯与紫光集团的整合,将有利于我国在存储器市场上形成突破,从而推动国家存储器战略的落地。

国家存储器基地在汉启动4个月

2014年

《国家集成电路产业发展推进纲要》颁布实施,部署今后十年产业战略

2015年7月

发展存储器芯片正式被确定为国家战略

1380亿元国家集成电路产业投资基金和近1400亿元地方基金相继建立

2016年3月28日

国家存储器基地在光谷智能制造产业园开工,计划5年内投资1600亿元人民币(约240亿美元),到2020年形成月产能30万片芯片的生产规模,到2030年建成每月100万片芯片的产能

2016年2月23日

国务院批复同意国家存储器基地落户湖北武汉

紫光集团

清华大学国有资产管理公司——清华控股有限公司旗下的大型骨干企业之一

2009年6月

增资扩股并引进新的管理团队,清华控股有限公司占51%,民营企业健坤集团占49%,成为按照混合所有制模式,建立市场化机制的国有控股企业。

在国家集成电路产业推进战略引导下,紫光集团以“自主创新+国际合作”为双轮驱动,确立了以集成电路产业为主导,向泛IT、移动互联、云计算与云服务等信息产业核心领域集中发展的战略

2013年7月至2015年6月

连续完成三次国际并购和一次外资入股:

斥资18.7亿美元和9.07亿美元连续收购美国纳斯达克上市公司展讯通信和锐迪科微电子,成为世界第三大手机芯片企业;与全球半导体巨头英特尔公司达成战略合作,英特尔向紫光集团旗下持有展讯通信和锐迪科微电子的控股子公司投资人民币90亿元(约15亿美元),并获得该控股子公司20%的股权;斥资25亿美元收购新华三51%股权,成为中国排名第一、世界排名第二的网络产品与服务领军企业

武汉新芯

我国唯一以存储器为主的集成电路制造企业

2006年

湖北省、武汉市和东湖高新区投资百亿元建设了武汉新芯12英寸晶圆制造项目

2008年

该公司12英寸芯片项目正式投产,产品良率达到世界领先水平,结束了中国中部无“芯”的历史

2013年

邀请杨士宁出任公司首席执行官。从没有研发、销售团队的单纯晶圆代工厂,转变为拥有自主知识产权平台的国家重点集成电路生产企业

目前

公司45nm NOR Flash(代码型闪存)生产技术水平世界领先,BSI图像传感器生产技术水平位居世界三强。

正在布局包含三维闪存在内的大存储器领域,计划在三维闪存领域直接跨入世界第一梯队,借此技术切入高端存储器制造领域

武汉芯片企业分布

存储器

武汉新芯集成电路制造有限公司

主打产品:NOR闪存、CMOS影像感测器芯片、65纳米浮栅型闪存、高端代码型闪存

未来突破:3D闪存

传感器

武汉高德红外股份有限公司

MEMS(微机电系统)红外传感器芯片填补了国内产业化空白

武汉高德红外与武汉新芯

合作研发的背照式影像传感器芯片顺利投入量产

光通信

海思光电子有限公司

光通信芯片设计能力达到28nm

烽火通信科技股份有限公司

网络通信芯片实现100G OTN(光传送网)

武汉芯泰科技有限公司

长距离宽带调频通信芯片正在进入产业化阶段

图形处理器

中船(武汉)微电子有限责任公司

开发的图形处理器GPU达到国际同类产品的技术

专家分析>>>

为做大做强

中国存储器产业

开了好头

“长江存储的股权安排从根本上避免了有限资源的分散和潜在的恶性竞争,对于不同存储器产品的规划和发展也更易于实现优化配置,值得称道”,昨日,国家01专项技术总师、清华大学微电子学研究所所长魏少军接受长江日报记者采访表示,存储器产业讲求规模,长江存储的建立对于做大做强中国存储器产业开了一个好头。

魏少军认为,从目前的股权安排来看,可以说既照顾了武汉新芯的现有状况,也兼顾了未来发展需要,既有利于发挥“大基金”的政策主导性作用,也可以充分发挥紫光集团的市场化作用。

“原来我们没有一家专业的半导体存储器厂商,但这两年一下子出现了好几家。除去三星、海力士、英特尔等世界主要玩家,其他地区的伙伴也在中国市场跃跃欲试,而且不同省份地方政府对发展存储器也抱有急切的心情。”魏少军说,这无疑给决策者带来了一个难题,那就是该重点支持谁?

“分散必然无法实现规模效应,分散也必然无法实现资源的优化配置。更令人担心的是,众多不具备规模优势的企业之间必然会引发恶性竞争,最终使得中国刚刚起步的存储器产业从一诞生就处在不利的环境之中。”魏少军表示,长江存储的成立,则使得国家存储器产业发展存在的隐患得到了有效解决,必然会对中国存储器的发展起到深远而重要的影响。

长江存储能否代表中国应对全球存储器市场的挑战?魏少军表示,这既要看长江存储自身的发展,也要看外部环境,不仅是国际竞争环境,也包括长江存储的出资人、股东是否能有思想准备、战略定力应对困难。

魏少军分析,在长江存储启动投资后三年左右的时间,将是大家最难受的时候,那时巨额投资已经投出,产品也可能有了,但还无法与竞争对手正面竞争,而企业已经初具规模,每天都在花钱、花大钱,“那时将是投资人和管理团队最困难的时候”。各方必须保持战略定力,排除万难,勇往直前,才能走向成功,只有迈过这个坎,长江存储才能成为中国存储器产业的领军企业。

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