14 nm鳍式场效晶体管 (FinFET) 制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段。
联华电子（以下简称联电）23 日发出消息宣布，该公司所自主研发的 14 nm鳍式场效晶体管 (FinFET) 制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段。联电表示，目前出货给主要客户的 14 nm量产晶圆，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。
联电CEO颜博文表示，此次 14 nm量产里程碑的达成，是联电与客户携手努力的成果。这象征了我们已成功地以合作模式，将先进技术导入市场。同时，联电与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥 14 nm FinFET 在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。
联电表示，联电的 14 nm FinFET 制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较 28 nm增快 55%，闸密度则达 2 倍。此外，14 nm制程的功耗亦较 28 nm制程减少约 50%。此 14 nm客户芯片现正于联电台南的 Fab 12A 晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其 14 nm产能。
联电宣布自主研发的14nm鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术， 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产，抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。
颜博文强调，14nmFinFET制程效能竞争力已达业界标准，速度比28 nm增快55%，闸密度达两倍，而且芯片功耗也较28nm减少约50%。
因联电28nm制程良率相当稳定，也是目前市场中端手机芯片和高端网络芯片需求最迫切的制程，预料联电将会把重心集中冲刺联芯将制程推升至28nm。
联电目前与和舰共持有联芯50%股权，联芯去年11月开幕，导入联电的55nm及40nm制程技术生产。
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