国家存储器基地项目(以下简称“项目”),在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元。
一、事件概述
近期,紫光集团官网发布:由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目(以下简称“项目”),在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。
二、分析与判断
国内存储芯片产业取得重大突破,打造IDM模式,将实现进口替代
1、存储芯片是集成电路的三大品类之一,广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域,其销售额占据整个芯片产业的比重超过25%,其技术能充分反映一个国家或地区的半导体发展水平。根据赛迪顾问的数据,2014年中国存储芯片市场规模达到2465.5亿元,占国内集成电路市场份额的23.7%。国内存储芯片几乎100%来自进口,每年进口存储芯片的金额高达600亿美元。根据Trendforce的数据,2016年Q3三星电子在全球DRAM存储器领域的份额高达50.2%,SK海力士占24.8%的份额;三星电子在全球NAND FLASH领域的市场份额为36.6%,SK海力士占10.4%的份额。
2、项目将以存储芯片制造环节为突破口,形成涵盖存储器芯片设计、制造、封装测试、技术研发等全产业链的IDM模式,为国内电子信息产业的转型升级提供有效支撑。我们认为,项目的启动将实现国产存储器芯片从0到1的突破,填补国内存储器产业的空白,表明国家集成电路产业发展战略在存储器芯片领域落地,将有效保障国家信息安全。
项目起点高、投资力度大、资源高度集中,有望突破技术瓶颈并实现量产
1、从日、韩半导体发展历程上看,日本政府在1976~1979年组织了5家最大的半导体制造商形成集成电路研究团队,并投入大量资金和人力,于1980年研制出64KDRAM存储器(比美国早半年)和256KDRAM存储器(比美国早2年);20世纪80年代末的韩国政府以存储器作为突破口,形成“官民一体”的DRAM存储器研发小组,投入大量资源突破存储器技术,1994年三星电子在全球率先推出256M DRAM,随后韩国半导体产业便超越日本成为世界第一。
2、项目瞄准存储器新兴领域中的3D NAND Flash,通过与飞索半导体合作、集中资源进行先进存储器技术攻关,将有望加速突破技术瓶颈。3D NAND FLASH作为一种新兴的存储器技术,其演进逻辑是依靠三维芯片堆叠而不仅是工艺制程缩小,相比2D NAND FLASH拥有体积更小、容量更大、成本更低等优势。我们认为,项目以3D NAND Flash存储器作为突破口,起点高、投资力度大,在国家的大力支持下,有望突破存储器相关的技术瓶颈并实现量产。
项目的建设将带动国内半导体设备、材料产业发展
半导体设备和材料需求主要由新增半导体晶圆厂建设拉动。刻蚀机、PVD、CVD等半导体设备已经实现部分国产化,电子电镀液、电子清洗液等材料已开始供应国内半导体主要制造厂商。我们认为,项目的建设将推动国内半导体设备和材料产业的发展。
三、投资建议
重点推荐:半导体设计领域,全志科技、北京君正、兆易创新、景嘉微、上海贝岭;半导体封装测试领域:长电科技、华天科技、深科技、晶方科技;MEMS传感器领域,耐威科技;半导体设备领域,七星电子;半导体材料领域,上海新阳;半导体晶圆厂房工程建设领域,太极实业。
四、风险提示:
1、项目推进不及预期;2、关键技术突破不及预期;3、市场竞争加剧。
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