这一技术飞跃是通过使用增加电池电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合多层极紫外 (EUV) 光刻技术，这款 DRAM 具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高 20%。
三星电子新开发了 16Gb DDR5 DRAM内存，该内存采用业界首个 12 纳米级工艺技术构建，并完成了与AMD兼容性的产品评估。该产品将于2023年规模量产。
“我们的 12 纳米范围 DRAM 将成为推动市场广泛采用 DDR5 DRAM 的关键推动力， ”三星电子 DRAM 产品和技术执行副总裁 Jooyoung Lee 说。“凭借卓越的性能和能效，我们希望我们的新 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域更可持续运营的基础。”
“创新通常需要与行业合作伙伴密切合作，以推动技术的发展， ”AMD 高级副总裁、公司研究员兼客户、计算和图形首席技术官乔·马克里 (Joe Macri) 说。“我们很高兴再次与三星合作，特别是推出在“Zen”平台上经过优化和验证的 DDR5 内存产品。”
这一技术飞跃是通过使用增加电池电容的新型高 κ 材料和改善关键电路特性的专有设计技术实现的。结合多层极紫外 (EUV) 光刻技术，这款 DRAM 具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高 20%。
利用最新的 DDR5 标准，该公司的 12 纳米级 DRAM 将有助于解锁高达 7.2Gb/s 的速度。这转化为在 1 秒内处理 2x30GB 超高清电影。
这种 DRAM 的速度与更高的能效相匹配。12 纳米级 DRAM 的功耗比以前的 DRAM 低 23%，将成为追求更环保运营的全球 IT 公司的解决方案。
大规模生产定于 2023 年开始，该公司计划将其基于这种 12 纳米级工艺技术构建的 DRAM 产品线扩展到一系列细分市场，同时继续与行业合作伙伴合作以支持下一代计算的快速扩展。
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