SK Hynix这款128层的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3位。
SK海力士26日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。
source: SK Hynix
这款128层的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3位。为了实现此工艺，SK海力士在自家的4D NAND技术上应用了大量创新技术，包括“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜细胞形成技术”和超快速低功耗电路设计等。
新产品实现了TLC NAND闪存业界最高的1Tb密度。许多存储器公司已经开发了1Tb QLC NAND产品，但SK 海力士是第一个将1Tb TLC NAND商业化的。TLC在NAND市场中占有85%以上的份额，具有良好的性能和可靠性。
SK海力士的4D NAND最大的优势是芯片尺寸小，这使得超高密度NAND闪存得以实现。此前，该公司在2018年10月宣布了创新的4D NAND，是一款结合了3D CTF (电荷陷式Flash) 设计与PUC (Peri Under Cell) 技术的产品。
在相同的4D平台和工艺优化下，SK海力士在现有96层NAND的基础上又增加了32层，使制造工艺总数减少了5%。与以往技术迁移相比，96层向128层NAND过渡的投资成本降低了60%，大大提高了投资效率。
相较于SK 海力士的96层4D NAND，新的128层1Tb 4D NAND可使每块晶圆的位产能提高40%。SK海力士将从今年下半年开始发货128层4D NAND闪存，同时继续推出各种解决方案。
由于该产品采了单芯片四平面架构，数据传输速率在1.2V时可以达到1400mbps，可以支持高性能、低功耗的移动解决方案以及企业SSD。
SK海力士计划明年上半年为主要旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。凭借128层1Tb NAND闪存，相较于512Gb NAND，1Tb产品所需的NAND数量将减少一半。海力士也将为客户提供一个能在1毫米薄的封装中，功耗降低20%的移动解决方案。
此外，公司计划于明年上半年开始量产一款2TB的客户端SSD，带有内部控制器及软件。16TB和32TB用于云数据中心的NVMe SSD也将于明年发布。
“SK海力士凭借这款128层4D NAND芯片，确保了其NAND业务的基本竞争力，”海力士执行副总裁兼全球营销主管Jong Hoon Oh表示，“凭借这款产品以及业界最上乘的堆积与密度，我们将在合适时间为客户提供多种解决方案。” (编译：Kevin)
图片声明：封面图片来源于SK Hynix。
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